在开发和使用MOSFET、IGBT、二极管及其他大功率器件，需要进行器件级的静态参数测量，如击穿电压、通态电流和电容测量，并不断优化开关状态下的电气性能。就要使用到IV参数曲线测试仪2600-PCT-2B，

在开发和使用MOSFET、IGBT、二极管及其他大功率器件，需要进行器件级的静态参数测量，如击穿电压、通态电流和电容测量，并不断优化开关状态下的电气性能。就要使用到IV参数曲线测试仪2600-PCT-2B，

IV参数曲线测试仪2600-PCT-2B优势：

完整的解决方案，

▪ 可现场升级和重新配置，将PCT转换成可靠性或晶片分类测试仪

▪ 可配置功率电平：200V至3kV、1A至100A

▪ 宽动态范围：µV至3kV、fA至100A

▪ 全量程容-电压 (C-V) 能力：fF至µF

▪ 支持 2、3和4端器件、高达3kV DC偏移

▪ 高性能测试夹具支持一系列软件包类型

▪ 探头测试台接口支持多种常见的探头类型

特点：

• 完善的解决方案，价格实惠且性能优异

• 可现场升级和重新配置，将 PCT 转换成可靠性或晶片分类测试仪

• 可配置功率电平：

• 200V 至 3kV

• 1A 至 100A

• 宽动态范围：

• µV 至 3kV

• fA 至 100A

• 全量程容-电压 (C-V) 能力：

• fF 至 µF

• 支持 2、3 和 4 端器件

• 高达 3kV DC 偏移

• 高性能测试夹具支持一系列软件包类型

• 探头测试台接口支持最常见的探头类型，包括 HV 同轴三线电缆、SHV 同轴电缆、标准同轴三线电缆等